MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA4446DJ-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 31 A, Mejora, SC-70 de 7 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

642,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,214 €642,00 €

*preço indicativo

Código RS:
279-9901
Referência do fabricante:
SIA4446DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SIA

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Disipación de potencia máxima Pd

19.2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

2.05mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Links relacionados