MOSFET de potencia Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 6 pines, 2,

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 200 para poupar 12,20 €

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

10,18 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 13 de agosto de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
Poupança
20 - 1800,509 €10,18 €-
200 - 4800,448 €8,96 €12,20 €
500 - 9800,377 €7,54 €66,00 €
1000 - 19800,357 €7,14 €152,00 €
2000 +0,309 €6,18 €400,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
814-1225
Referência do fabricante:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Longitud

2.15mm

Anchura

2.15mm

Altura

800μm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.