MOSFET de potencia Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 6 pines, 2,

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Código RS:
814-1225
Referência do fabricante:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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