MOSFET de potencia Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SIA517DJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 6 pines, 2,

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

10,48 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 - 1800,524 €10,48 €
200 - 4800,462 €9,24 €
500 - 9800,388 €7,76 €
1000 - 19800,367 €7,34 €
2000 +0,314 €6,28 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
814-1225
Referência do fabricante:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.15 mm

Altura

0.8mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados