MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA817EDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (25 unidades, em pack de 25)*

13,58 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 25 de outubro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 2250,543 €13,58 €
250 - 6000,532 €13,30 €
625 - 12250,402 €10,05 €
1250 - 24750,321 €8,03 €
2500 +0,244 €6,10 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
180-7827
Referência do fabricante:
SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SC-70-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.065Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Tensión directa Vf

0.56V

Configuración de transistor

Schottky integrado Dual Plus

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.05mm

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El Vishay SIA817EDJ es un MOSFET de canal P con diodo schottky que tiene una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 30V V. Tiene configuración de schottky doble más integrado. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 12V V. Dispone de encapsulado PAK SC-70 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,065ohms a 10VGS y 0,08ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 4,5A A.

MOSFET de potencia Schottky Little Foot Plus

Encapsulado Power PAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño pequeño, resistencia de conexión baja, perfil fino de 0,75 mm

Protección ESD típica (MOSFET): 1500 V (HBM)

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.