MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6205
- Referência do fabricante:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
6,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 17 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,665 € | 6,65 € |
| 50 - 90 | 0,652 € | 6,52 € |
| 100 - 240 | 0,493 € | 4,93 € |
| 250 - 990 | 0,482 € | 4,82 € |
| 1000 + | 0,39 € | 3,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 223-6205
- Referência do fabricante:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.41Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.41Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Libre de halógenos
Links relacionados
- MOSFET ROHM QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5C020TPTL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5E040RPTL, VDSS 30 V, ID 4 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5H020SPTL, VDSS 45 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET de potencia ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E070RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5C035BCTCL, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, TSMT-3 de 3 pines
