MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6204
- Referência do fabricante:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 626,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,542 € | 1 626,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 223-6204
- Referência do fabricante:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.41Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 0.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.8 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.41Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 0.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.8 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Libre de halógenos
Links relacionados
- MOSFET ROHM QH8KB6TCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM QH8MB5TCR, VDSS 40 V, ID 4,5 A, 5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM RQ7G080ATTCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM UT6JB5TCR, VDSS 40 V, ID 3,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos
