MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5C020TPTL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- Código RS:
- 124-6830
- Referência do fabricante:
- RQ5C020TPTL
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
10,325 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,413 € | 10,33 € |
| 125 - 225 | 0,247 € | 6,18 € |
| 250 - 600 | 0,232 € | 5,80 € |
| 625 - 1225 | 0,23 € | 5,75 € |
| 1250 + | 0,228 € | 5,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 124-6830
- Referência do fabricante:
- RQ5C020TPTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Serie | RTR020P02 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.6 mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Serie RTR020P02 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.6 mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5E040RPTL, VDSS 30 V, ID 4 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5H020SPTL, VDSS 45 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E070RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1A070ZPHZGTR, VDSS 12 V, ID 7 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E050RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5C035BCTCL, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, TSMT-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM QH8MA3TCR, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, TSMT de 8 pines