MOSFET de potencia ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 168-2133
- Referência do fabricante:
- QS6K1TR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 168-2133
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- QS6K1TR
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 238mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Anchura | 1.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 238mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Anchura 1.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET (N+N) de tipo complejo están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.
Tipo de unidad de 2,5 V
MOSFET de media potencia de canal N
Velocidad de conmutación rápida
Encapsulado para montaje superficial
Sin plomo
Aplicaciones:
Terminal de datos portátil
Máquinas de procesamiento de moneda
Multímetro digital: tipo práctico
Control de motor: dc sin escobillas
PLC (controlador lógico programable)
Servomotor ac
Almacenamiento conectado a red
DVR/DVS
Control de motor: motor paso a paso
Control de motor: dc con escobillas
POS (sistema de punto de venta)
Bicicleta eléctrica
PC integrado
Medidor inteligente
Cámara de vigilancia
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