MOSFET de potencia ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 168-2133
- Referência do fabricante:
- QS6K1TR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
8,125 €
Adicione 325 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | 0,325 € | 8,13 € |
| 75 - 125 | 0,299 € | 7,48 € |
| 150 + | 0,264 € | 6,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-2133
- Referência do fabricante:
- QS6K1TR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 238mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Anchura | 1.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 238mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Anchura 1.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET (N+N) de tipo complejo están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.
Tipo de unidad de 2,5 V
MOSFET de media potencia de canal N
Velocidad de conmutación rápida
Encapsulado para montaje superficial
Sin plomo
Aplicaciones:
Terminal de datos portátil
Máquinas de procesamiento de moneda
Multímetro digital: tipo práctico
Control de motor: dc sin escobillas
PLC (controlador lógico programable)
Servomotor ac
Almacenamiento conectado a red
DVR/DVS
Control de motor: motor paso a paso
Control de motor: dc con escobillas
POS (sistema de punto de venta)
Bicicleta eléctrica
PC integrado
Medidor inteligente
Cámara de vigilancia
Máquina de inspección de rayos X para seguridad
Cámara de vigilancia para red
Intercomunicador / Monitor de bebés
Cámara de visión de máquinas para aplicaciones industriales
Dispositivo de autenticación de huellas dactilares
GFCI (interruptor de circuito de fallo a tierra)
Multímetro digital: tipo banco
Display para EMS
Inversores de energía solar
Links relacionados
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM RQ5H030TNTL, VDSS 45 V, ID 3 A, TSMT-3 de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5H020SPTL, VDSS 45 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUR020N02TL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUR040N02TL, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, TSMT de 3 pines
