MOSFET ROHM, Tipo N-Canal QH8K51TR, VDSS 100 V, ID 2 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-0345
- Referência do fabricante:
- QH8K51TR
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 386,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,462 € | 1 386,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 172-0345
- Referência do fabricante:
- QH8K51TR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Serie | QH8K51 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 355mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Serie QH8K51 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 355mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El QH8K51 es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.
Baja resistencia de encendido.
Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8).
Links relacionados
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JB5TCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RUR020N02TL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5C020TPTL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ5H020SPTL, VDSS 45 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8
