Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

12,61 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 7850 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 901,261 €12,61 €
100 - 2401,199 €11,99 €
250 - 4901,173 €11,73 €
500 - 9901,095 €10,95 €
1000 +1,021 €10,21 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
222-4681
Referência do fabricante:
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

5.9 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Links relacionados