Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG16N10S461AATMA1, VDSS 100 V, ID 16 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,

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Opções de embalagem:
Código RS:
214-9058
Referência do fabricante:
IPG16N10S461AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

61mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5.9mm

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. El modo de mejora de nivel normal de canal N doble es factible para la inspección óptica automática (AOI). Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.

El producto tiene certificación AEC Q101

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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