Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4680
Referência do fabricante:
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

5.9 mm

Altura

1mm

Longitud

5.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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