Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISCH42N04LM7ATMA1, VDSS 40 V, ID 541 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-391
- Referência do fabricante:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-391
- Referência do fabricante:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 541A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 541A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 7 de 40 V de Infineon es un MOSFET de canal N de alto rendimiento diseñado para ofrecer una eficacia y una fiabilidad excepcionales en aplicaciones de conmutación de potencia. Con una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, ayuda a minimizar las pérdidas por conducción, lo que mejora la eficiencia general del sistema. Su resistencia térmica superior garantiza una disipación térmica eficaz, lo que lo hace idóneo para aplicaciones de alta potencia. Además, es 100 % a prueba de avalancha, lo que proporciona una robusta protección contra transitorios y asegura un rendimiento estable incluso en condiciones exigentes.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
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