Transistor de potencia, N-Canal Infineon ISCH42N04LM7ATMA1, VDSS 40 V, ID 541 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-391
- Referência do fabricante:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (5 unidades, em pack de 5)*
22,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,44 € | 22,20 € |
| 50 - 95 | 4,22 € | 21,10 € |
| 100 + | 3,904 € | 19,52 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-391
- Referência do fabricante:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 541A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 541A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Transistor de potencia de la serie ISC de Infineon, disipación de potencia máxima de 234 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - ISCH42N04LM7ATMA1
Este transistor de potencia es un MOSFET de modo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para funciones exigentes de conversión de potencia y conmutación. Funciona en un amplio rango de temperaturas para su uso en entornos térmicamente exigentes y se suministra en un encapsulado TDSON de montaje en superficie de 8 pines adecuado para diseños de placa compactos.
Características y ventajas:
• La disipación de potencia de 234 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La corriente de drenaje continua de 541 A admite cargas de corriente pesada
• La clasificación de drenaje de fuente de 40 V permite la compatibilidad con sistemas de media tensión
• La Rds(on) de 0.42 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 79 nC reduce la energía de conmutación en diseños rápidos
• La tensión directa de 1 V reduce la pérdida en la rectificación síncrona
• La corriente de drenaje continua de 541 A admite cargas de corriente pesada
• La clasificación de drenaje de fuente de 40 V permite la compatibilidad con sistemas de media tensión
• La Rds(on) de 0.42 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 79 nC reduce la energía de conmutación en diseños rápidos
• La tensión directa de 1 V reduce la pérdida en la rectificación síncrona
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Ideal para carriles de alimentación de servidores y centros de datos
• Se utiliza con convertidores dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para rectificadores síncronos en fuentes de alimentación
• Se emplea en etapas de salida de inversor industrial
• Ideal para carriles de alimentación de servidores y centros de datos
• Se utiliza con convertidores dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para rectificadores síncronos en fuentes de alimentación
• Se emplea en etapas de salida de inversor industrial
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en aplicaciones con amplias variaciones de temperatura ambiente o de unión.
¿Cómo está optimizado el encapsulado para el montaje de placas de circuito impreso?
El encapsulado de montaje en superficie PG‐TDSON‐8 ofrece una baja resistencia térmica y un tamaño compacto para el montaje automatizado en placas densamente pobladas.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son relevantes para la conmutación rápida?
Con una carga de puerta típica de 79 nC y un Vgs máximo de 20 V, los diseñadores deben dimensionar la corriente del controlador para gestionar los tiempos de carga/descarga al tiempo que se mantienen dentro de los límites de tensión de puerta.
¿Hay limitaciones en el manejo de corriente en un funcionamiento sostenido?
La corriente de drenaje continua de 541 A indica una alta capacidad de estado estable, pero requiere una gestión térmica adecuada para mantener la disipación de potencia especificada.
Links relacionados
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC151N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 74 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC032N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 170 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon BSC152N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 55 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC011N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon BSC105N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 76 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon BSC088N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 87 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines