Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S436AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 218-3060
- Referência do fabricante:
- IPG20N10S436AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,81 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- 4800 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,781 € | 7,81 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3060
- Referência do fabricante:
- IPG20N10S436AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Longitud 5.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Links relacionados
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG16N10S461AATMA1, VDSS 100 V, ID 16 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S408AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S4L07AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines