MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
222-4653
Referência do fabricante:
IPB60R099P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento) mayor resistencia dv/dt MOSFET a 120V/ns

Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase

El mejor RDS(on) /paquete de su clase

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