MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5895
- Referência do fabricante:
- IRF5305STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5895
- Referência do fabricante:
- IRF5305STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRF5305STRLPBF
Este MOSFET de canal P está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y ofrece fiabilidad y rendimiento. Emplea la funcionalidad de modo de mejora, lo que lo hace versátil para diversos circuitos electrónicos. Con unas especificaciones robustas, constituye una opción adecuada para la automatización y la gestión de la energía en entornos eléctricos y mecánicos.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 31 A
• Tensión máxima de la fuente de drenaje de 55 V
• Configuración de montaje en superficie para una integración perfecta
• Capacidad máxima de disipación de energía de 110 W para un funcionamiento eficiente
• Rendimiento térmico mejorado con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C
• Baja resistencia a la conexión de 60mΩ para mejorar la eficiencia
Aplicaciones
• Para uso con controles de motor
• Adecuado para circuitos de alimentación
• Conmutación electrónica
• Soluciones de gestión de la energía
¿Cuál es la tensión umbral máxima de la puerta?
La tensión umbral de puerta máxima es de 4 V, lo que proporciona un control adecuado en el diseño de circuitos.
¿Cómo gestiona el calor el MOSFET?
Presenta una disipación de potencia máxima de 110 W, lo que permite una gestión eficaz del calor en aplicaciones exigentes.
¿Este producto es compatible con los diseños de montaje en superficie?
Sí, viene en un tipo de encapsulado D2PAK diseñado específicamente para aplicaciones de montaje en superficie.
¿Cuál es la temperatura mínima de funcionamiento?
El dispositivo funciona eficazmente a una temperatura mínima de -55 °C, lo que garantiza su versatilidad para diversos entornos.
¿Cómo influye la resistencia a la conexión en el rendimiento?
La baja resistencia fuente de drenaje máxima de 60mΩ contribuye a una mayor eficiencia y rendimiento en aplicaciones de suministro de potencia.
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