MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 165-5895
Referência do fabricante:: IRF5305STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 165-5895
Referência do fabricante:: IRF5305STRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	60mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Tensión directa Vf	-1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	63nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	9.65 mm
	Altura	4.83mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Tensión directa Vf -1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 9.65 mm
	Altura 4.83mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRF5305STRLPBF

Este MOSFET de canal P está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y ofrece fiabilidad y rendimiento. Emplea la funcionalidad de modo de mejora, lo que lo hace versátil para diversos circuitos electrónicos. Con unas especificaciones robustas, constituye una opción adecuada para la automatización y la gestión de la energía en entornos eléctricos y mecánicos.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 31 A

• Tensión máxima de la fuente de drenaje de 55 V

• Configuración de montaje en superficie para una integración perfecta

• Capacidad máxima de disipación de energía de 110 W para un funcionamiento eficiente

• Rendimiento térmico mejorado con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C

• Baja resistencia a la conexión de 60mΩ para mejorar la eficiencia

Aplicaciones

• Para uso con controles de motor

• Adecuado para circuitos de alimentación

• Conmutación electrónica

• Soluciones de gestión de la energía

¿Cuál es la tensión umbral máxima de la puerta?

La tensión umbral de puerta máxima es de 4 V, lo que proporciona un control adecuado en el diseño de circuitos.

¿Cómo gestiona el calor el MOSFET?

Presenta una disipación de potencia máxima de 110 W, lo que permite una gestión eficaz del calor en aplicaciones exigentes.

¿Este producto es compatible con los diseños de montaje en superficie?

Sí, viene en un tipo de encapsulado D2PAK diseñado específicamente para aplicaciones de montaje en superficie.

¿Cuál es la temperatura mínima de funcionamiento?

El dispositivo funciona eficazmente a una temperatura mínima de -55 °C, lo que garantiza su versatilidad para diversos entornos.

¿Cómo influye la resistencia a la conexión en el rendimiento?

La baja resistencia fuente de drenaje máxima de 60mΩ contribuye a una mayor eficiencia y rendimiento en aplicaciones de suministro de potencia.