MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R099P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4654
- Referência do fabricante:
- IPB60R099P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
18,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3820 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,78 € | 18,90 € |
| 10 - 20 | 3,59 € | 17,95 € |
| 25 - 45 | 3,29 € | 16,45 € |
| 50 - 120 | 2,834 € | 14,17 € |
| 125 + | 2,456 € | 12,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4654
- Referência do fabricante:
- IPB60R099P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento) mayor resistencia dv/dt MOSFET a 120V/ns
Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on) /paquete de su clase
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R280PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305STRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-263 de 3 pines