MOSFET, N-Canal Infineon IAUC100N10S5N040ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4636
Referência do fabricante:
IAUC100N10S5N040ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Factible para la inspección óptica automática (AOI)

100 % a prueba de avalancha

Calificación AEC

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