MOSFET, N-Canal Infineon IAUC100N10S5N040ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4636
- Referência do fabricante:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
15,42 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 9900 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,084 € | 15,42 € |
| 25 - 45 | 2,776 € | 13,88 € |
| 50 - 120 | 2,592 € | 12,96 € |
| 125 - 245 | 2,404 € | 12,02 € |
| 250 + | 2,22 € | 11,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4636
- Referência do fabricante:
- IAUC100N10S5N040ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Factible para la inspección óptica automática (AOI)
100 % a prueba de avalancha
Calificación AEC
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSC070N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSC035N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSC040N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
