MOSFET, N-Canal Infineon BSC040N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 171-1973
- Referência do fabricante:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1973
- Referência do fabricante:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSC040N10NS5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tensión directa Vf | 860mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSC040N10NS5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Tensión directa Vf 860mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 5.49mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC040N10NS5 de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 100 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - BSC040N10NS5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para etapas de potencia compactas de nivel de placa donde se requieren bajas pérdidas de conducción y un manejo de corriente considerable. El dispositivo se suministra en un encapsulado de perfil bajo y sin plomo adecuado para el montaje automatizado y la gestión térmica.
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 100 A permite la manipulación de cargas pesadas
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V admite conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 5.6 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 58 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La disipación de potencia máxima de 139 W permite un rendimiento térmico significativo
• La tolerancia de fuente de puerta de ±20 V garantiza una capacidad de potencia de accionamiento de puerta robusta
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V admite conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 5.6 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 58 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La disipación de potencia máxima de 139 W permite un rendimiento térmico significativo
• La tolerancia de fuente de puerta de ±20 V garantiza una capacidad de potencia de accionamiento de puerta robusta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta potencia en sistemas industriales
• Ideal para etapas de medio puente de inversor de motor en placas de superficie
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Útil en módulos de alimentación de servidor donde la densidad térmica importa
• Ideal para etapas de medio puente de inversor de motor en placas de superficie
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Útil en módulos de alimentación de servidor donde la densidad térmica importa
¿Cuáles son los límites de funcionamiento térmico que se deben esperar?
El dispositivo está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos de arranque en frío y temperatura elevada sin reducir la potencia más allá de las consideraciones típicas de pérdida de potencia.
¿Cómo afecta el encapsulado al diseño de PCB para la extracción de calor?
El encapsulado TDSON de 8 contactos sin plomo y el perfil de 1,1 mm permiten la colocación cercana de componentes al tiempo que facilitan la conducción térmica en placas de cobre y vias térmicas para mejorar la disipación de calor.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se recomiendan para una conmutación fiable?
La tensión máxima admisible de fuente de puerta es de 20 V, por lo que los controladores de puerta deben limitarse dentro de este rango y tener en cuenta la carga de puerta típica de 58 nC al dimensionar la corriente del controlador para lograr los tiempos de transición deseados.
¿Cómo se comporta el dispositivo en términos de eficiencia de conducción?
Con una baja resistencia de conexión de 5,6 mΩ y una alta capacidad de corriente de drenaje continua, minimiza las pérdidas de I2R durante la conducción, lo que mejora la eficiencia general del sistema con corrientes de carga sustanciales.
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