MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 221-6745
- Referência do fabricante:
- NTP125N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 tubo de 800 unidades)*
1 900,80 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,376 € | 1 900,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 221-6745
- Referência do fabricante:
- NTP125N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTP125N | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free and are RoHS | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTP125N | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free and are RoHS | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva: 379 pF
100 % a prueba de avalancha
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