MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 172-3426
- Referência do fabricante:
- FCPF067N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 172-3426
- Referência do fabricante:
- FCPF067N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FCPF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 16.07mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FCPF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 16.07mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantía de soldadura por ola
Informática
Telecomunicaciones
Industriales
Telecomunicaciones / Servidor
Inversor solar / SAI
EVC
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