Unidad(es)

Selecione ou digite a quantidade

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	190mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	36W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.63mm
	Altura	16.12mm
	Anchura	4.9 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 36W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.63mm
	Altura 16.12mm
	Anchura 4.9 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 35 nC)

Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)

Capacitancia optimizada

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Menor pérdida de conmutación

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Aplicaciones

Informática

Consumo

Industriales

Productos finales

Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola

Telecomunicaciones / Servidor

Balasto/iluminación LED

Adaptador

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Links relacionados