MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
189-0263
Referência do fabricante:
NTP150N65S3HF
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

16.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carga de puerta ultra baja (Typ. QG = 43 nC)

Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS (eff.) = 400 pF)

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Capacitancia optimizada

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Menor pérdida de conmutación

Menor pérdida de conmutación

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Aplicaciones

Telecomunicaciones

Sistema en la nube

Industriales

Productos finales

Alimentación de telecomunicaciones

Alimentación de servidores

Cargador EV

Solar / SAI

Links relacionados