MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
221-6741
Referência do fabricante:
NTP067N65S3H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

NTP067N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

266W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

16.3mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.

Carga de puerta ultrabaja

Baja capacitancia de salida efectiva: 691 pF

100 % a prueba de avalancha

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