MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 165-6872
Referência do fabricante:: IPD042P03L3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1 545,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Fora de stock temporariamente

Envio a partir do dia 07 de dezembro de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
2500 +	0,618 €	1 545,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 165-6872
Referência do fabricante:: IPD042P03L3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	131nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	150W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.41mm
	Anchura	5.97mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 131nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 150W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.41mm
	Anchura 5.97mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 70 A - IPD042P03L3GATMA1

Este MOSFET es un transistor de potencia de modo de mejora de canal P diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un manejo de alta corriente y un rango de funcionamiento térmico robusto. Funciona como un dispositivo de conmutación de alto rendimiento en circuitos de conversión de potencia y control de carga, proporcionando baja pérdida de conducción y comportamiento controlado de accionamiento de puerta para sistemas electrónicos exigentes.

Características y ventajas:

• La RDS(on) de 6,8 mΩ minimiza las pérdidas por conducción para mejorar la eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 70 A admite conmutación de carga pesada
• La disipación de potencia de 150 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 131 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• El valor nominal VGS de ±20 V garantiza flexibilidad de tensión de accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Adecuado para la rectificación síncrona en convertidores CC-CC
• Ideal para conmutar cargas de alta corriente en fuentes de alimentación
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una baja resistencia de conducción
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de protección
• Adecuado para módulos de potencia de montaje en superficie de alta densidad

¿Qué tipo de encapsulado debo prever para tener en cuenta la disposición de la placa de circuito impreso?

El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 con tres pines, lo que permite la colocación compacta de la placa y el enrutamiento con placa térmica.

¿Cómo gestiona el dispositivo las tensiones de accionamiento de puerta durante el funcionamiento?

La tensión máxima de fuente de puerta es de ±20 V, por lo que los controladores de puerta deben especificarse dentro de este límite para evitar sobretensión.

¿Cuál es la tensión máxima que puede bloquear este transistor?

Tiene una tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V, lo que define su idoneidad para sistemas de alimentación de baja tensión.

¿Hay limitaciones en la tensión directa durante la conducción?

La tensión directa típica es de -1,1 V, lo que afecta a los cálculos de pérdida de conducción en el diseño de circuitos.