MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 70 A, N, TO-252

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Código RS:
258-3830
Referência do fabricante:
IPD068P03L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P de Infineon es una familia OptiMOS muy innovadora que incluye MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.

Modo de mejora

Nivel lógico

Valor nominal de avalancha

Conmutación rápida

Valor nominal Dv/dt

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