MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7388
- Referência do fabricante:
- IPB60R060P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2 079,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,079 € | 2 079,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7388
- Referência do fabricante:
- IPB60R060P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 Infineon 600V Cool es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB60R060P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPL60R065P7AUMA1, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 57.2 A, Mejora, TO-263