MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB019N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 170 A, P, TO-263

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Código RS:
259-2575
Referência do fabricante:
IPB019N08NF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET 2 están optimizados para una amplia gama de aplicaciones como SMPS, accionamiento de motor, alimentación por batería, gestión de baterías, SAI y vehículos eléctricos ligeros. Esta nueva tecnología ofrece hasta un 40 por ciento de mejora de RDS(on) y hasta un 60 por ciento de Qg inferior en comparación con los dispositivos StrongIRFET anteriores, lo que se traduce en una mayor eficiencia de potencia para mejorar el rendimiento general del sistema. El aumento de las corrientes nominales permite una mayor capacidad de transporte de corriente, lo que elimina la necesidad de paralelizar varios dispositivos, lo que se traduce en menores costes de BOM y ahorros de placa.

Amplia disponibilidad de socios de distribución

Excelente relación precio/rendimiento

Ideal para frecuencias de conmutación altas y bajas

Encapsulado de orificio pasante estándar de la industria

Corriente nominal alta

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