MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9032
- Referência do fabricante:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
580,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 15.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,232 € | 580,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9032
- Referência do fabricante:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 64mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 64mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.
Tiene certificación AEC Q101 para automoción
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD15N06S2L64ATMA2, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 28 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines