MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL305N4LF8AG, VDSS 40 V, ID 304 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-576
- Referência do fabricante:
- STL305N4LF8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,40 € |
| 10 - 99 | 2,16 € |
| 100 - 499 | 2,00 € |
| 500 - 999 | 1,85 € |
| 1000 + | 1,66 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-576
- Referência do fabricante:
- STL305N4LF8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 304A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 304A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL300N4LF8, VDSS 40 V, ID 304 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de canal N, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL160N4F8, VDSS 40 V, ID 154 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL325N4F8AG, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL300N4F8, VDSS 40 V, ID 290 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL145N4LF8AG, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL260N4LF7, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines