MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3119
- Referência do fabricante:
- IRFS52N15DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
828,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2400 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,035 € | 828,00 € |
| 1600 + | 1,009 € | 807,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3119
- Referência do fabricante:
- IRFS52N15DTRLP
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 89nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 89nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de infrarrojos de canal N único Infineon serie IRFS. Este MOSFET se utiliza en convertidores dc-dc de alta frecuencia, panel de display de plasma, etc.
Sin plomo
Reducción significativa de pérdidas de conmutación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS52N15DTRLP, VDSS 150 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 85 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ46ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4321TRLPBF, VDSS 150 V, ID 85 A, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 174 A, TO-263 de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 174 A, TO-263 de 7 pines