MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 114 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3030
- Referência do fabricante:
- IPB073N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 711,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,711 € | 1 711,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3030
- Referência do fabricante:
- IPB073N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 114A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 114A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 150 V, corriente de drenaje continua de 114 A - IPB073N15N5ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de alta potencia diseñado para la conmutación y la gestión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona como un transistor de canal N en un encapsulado TO-263 de montaje en superficie, diseñado para aplicaciones que requieren una entrega de corriente y un manejo de calor sustanciales en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 150 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 114 A para un funcionamiento de carga pesada
• Rds(on) de 7.3 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 214 W que permite una carga térmica sostenida
• Tensión directa de 1,1 V que proporciona un comportamiento de conducción eficiente
• tolerancia de puerta de 20 V que permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Corriente de drenaje continua de 114 A para un funcionamiento de carga pesada
• Rds(on) de 7.3 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 214 W que permite una carga térmica sostenida
• Tensión directa de 1,1 V que proporciona un comportamiento de conducción eficiente
• tolerancia de puerta de 20 V que permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Se utiliza con módulos de gestión de potencia en sistemas industriales
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores
• Apto para conmutación de alta tensión en equipos de telecomunicaciones
• Ideal para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Se utiliza con módulos de gestión de potencia en sistemas industriales
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores
• Apto para conmutación de alta tensión en equipos de telecomunicaciones
¿Qué rango de tensión de puerta puedo aplicar de manera segura?
El dispositivo admite hasta 20 V entre la puerta y la fuente sin exceder su tolerancia de puerta especificada.
¿Qué extremos térmicos puede soportar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está clasificado para funcionar de −55 °C a +175 °C en su rango térmico especificado.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje de la placa y la refrigeración?
El formato de montaje en superficie TO-263 permite el contacto térmico soldado a planos de cobre para la propagación del calor y el montaje de recogida y colocación automatizado.
¿Qué tipo de conducción de canal y orientación utiliza?
Emplea un canal de tipo N configurado para la conmutación en modo de mejora estándar en circuitos de potencia.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 85 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4321TRLPBF, VDSS 150 V, ID 85 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 174 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 136 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB044N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB060N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 136 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC074N15NS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines