MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 136 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 258-3792
- Referência do fabricante:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 258-3792
- Referência do fabricante:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 136A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 136A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 150 V de Infineon son especialmente adecuados para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters eléctricos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y energía solar. Los nuevos productos ofrecen una reducción innovadora de RDS(on) y Qrr sin comprometer FOM gd y FOM OSS, lo que reduce de manera efectiva el esfuerzo de diseño al tiempo que optimiza la eficiencia del sistema. Además, la carga de recuperación inversa ultrabaja aumenta la robustez de conmutación.
Carga de salida inferior
Carga de recuperación inversa ultrabaja
Paralelización reducida
Diseños de mayor densidad de potencia
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