MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3043
- Referência do fabricante:
- IPD35N10S3L26ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3043
- Referência do fabricante:
- IPD35N10S3L26ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación.
Canal N - Modo de mejora
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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