MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3043
- Referência do fabricante:
- IPD35N10S3L26ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
18,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 11.460 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,20 € | 18,00 € |
| 75 - 135 | 1,14 € | 17,10 € |
| 150 - 360 | 1,092 € | 16,38 € |
| 375 - 735 | 1,044 € | 15,66 € |
| 750 + | 0,971 € | 14,57 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3043
- Referência do fabricante:
- IPD35N10S3L26ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación.
Canal N - Modo de mejora
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR540Z, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR540ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252