MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3043
Referência do fabricante:
IPD35N10S3L26ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS-T

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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