MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- Código RS:
- 171-1917
- Referência do fabricante:
- IPD25CN10NGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1917
- Referência do fabricante:
- IPD25CN10NGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD25CN10N G | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD25CN10N G | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET Infineon
El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 25mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 300A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 100V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 71W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Productos fáciles de diseñar
• Respetuosos con el medio ambiente
• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)
• Excelente rendimiento de conmutación
• Libre de halógenos
• Mayor densidad de potencia
• Mayor eficiencia
• Se requiere menos conexión en paralelo
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• El menor consumo de espacio en placa
• Qg y Qgd muy bajos
• El RDS más bajo del mundo (ON)
Aplicaciones
• Amplificadores de audio Clase D.
• Convertidores dc-dc aislados (telecomunicaciones y sistemas de comunicación de datos
• Control de motor para sistemas 48V-80V (vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)
• Interruptores de junta tórica y disyuntores en sistemas 48V
• Rectificador síncrono
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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