MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR540ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2599
- Referência do fabricante:
- IRFR540ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2599
- Referência do fabricante:
- IRFR540ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento 35A ID para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Sin plomo ni halógenos
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