MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB060N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 136 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 258-3794
- Referência do fabricante:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3794
- Referência do fabricante:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 136A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 136A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 150 V de Infineon son especialmente adecuados para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters eléctricos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y energía solar. Los nuevos productos ofrecen una reducción innovadora de RDS(on) y Qrr sin comprometer FOM gd y FOM OSS, lo que reduce de manera efectiva el esfuerzo de diseño al tiempo que optimiza la eficiencia del sistema. Además, la carga de recuperación inversa ultrabaja aumenta la robustez de conmutación.
Carga de salida inferior
Carga de recuperación inversa ultrabaja
Paralelización reducida
Diseños de mayor densidad de potencia
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