MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
217-2606
Referência do fabricante:
IRF7469TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.9mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.75mm

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 40V de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado SO-8.

Impedancia de puerta ultrabaja

RDS(on) muy baja

Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza

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