MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 171-1913
- Referência do fabricante:
- SI4435DYTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1913
- Referência do fabricante:
- SI4435DYTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | Si4435DYPbF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie Si4435DYPbF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não conforme
El Infineon SI4435DY es el MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 30V V en un encapsulado SO-8. Estos MOSFET de potencia HEXFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento Advanced para lograr la resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio.
MOSFET de canal P.
Montaje superficial
Disponibles en cinta y carrete
Sin cables
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