MOSFET, N-Canal Infineon IRF7458TRPBF, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 217-2605
- Número do artigo Distrelec:
- 304-39-416
- Referência do fabricante:
- IRF7458TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2605
- Número do artigo Distrelec:
- 304-39-416
- Referência do fabricante:
- IRF7458TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.9mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.9mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 30V de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado SO-8.
Impedancia de puerta ultrabaja
RDS(on) muy baja
Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza
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