MOSFET, N-Canal Infineon IPN70R450P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
217-2548
Referência do fabricante:
IPN70R450P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

IPN

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

6.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.8mm

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.

Pérdidas extremadamente bajas debido a UN BAJO VALOR DE FOMR DS(on)*QG and RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

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