MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
215-2525
Referência do fabricante:
IPN70R360P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

7.2W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET CoolMOS serie P7 de 700 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 700 V, corriente de drenaje continua máxima de 12,5 A - IPN70R360P7SATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en un rango de temperatura ambiente ampliado y es adecuado para circuitos que requieren un manejo de tensión robusto, baja caída de conducción directa y accionamiento de puerta controlado. El componente se suministra en un encapsulado SOT-223 compacto diseñado para etapas de potencia montadas en placa.

Características y ventajas:


• La tolerancia de drenaje nominal de 700 V permite la conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 360 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante los ciclos de carga
• La corriente de drenaje continua de 12.5 A admite un rendimiento de potencia moderado
• La carga de puerta típica de 16.4 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La tensión directa de 0,9 V reduce la caída de tensión en modo de conducción
• La disipación máxima de 7,2 W gestiona la carga térmica en diseños compactos

Aplicaciones


• Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Ideal para convertidores de lado primario de alta tensión
• Se utiliza con topologías resonantes o de conmutación dura
• Puede utilizarse para carriles de alimentación auxiliares en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de impulso y retorno de corriente media

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse para un funcionamiento seguro?


El dispositivo no debe accionarse más de ±20 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta.

¿Cómo se comporta el dispositivo a temperaturas extremas?


Está especificado para funcionar de -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de arranque en frío y alta temperatura con Rds(on) degradados que se esperan a temperaturas elevadas.

¿Qué consideraciones de montaje son relevantes para la gestión térmica?


Como encapsulado SOT-223 de montaje en superficie, se recomiendan un área de cobre adecuada y vias térmicas en la PCB para disipar hasta el límite de potencia de 7,2 W.

¿Cómo influye la carga de puerta en los requisitos de accionamiento?


La carga de puerta típica de 16,4 nC define la corriente de accionamiento y las pérdidas de conmutación, lo que informa la selección de controladores de puerta y amortiguadores para la velocidad de conmutación deseada.

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