MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R900P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
215-2528
Referência do fabricante:
IPN70R900P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas actualmente. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos. La última CoolMOS™P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

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