MOSFET, N-Canal Infineon IPD082N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9029
- Referência do fabricante:
- IPD082N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
13,68 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,368 € | 13,68 € |
| 50 - 90 | 1,301 € | 13,01 € |
| 100 - 240 | 1,246 € | 12,46 € |
| 250 - 490 | 1,189 € | 11,89 € |
| 500 + | 1,109 € | 11,09 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9029
- Referência do fabricante:
- IPD082N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito). Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Las aplicaciones potenciales incluyen amplificadores de audio de clase D, convertidores dc-dc aislados, etc.
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 39 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines