MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

Código RS:: 170-2283
Referência do fabricante:: IPD053N08N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

2 095,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

7500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
2500 +	0,838 €	2 095,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 170-2283
Referência do fabricante:: IPD053N08N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	IPD053N08N3 G
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	52nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	150W
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.73mm
	Anchura	7.36 mm
	Altura	2.41mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 90A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado TO-252
	Serie IPD053N08N3 G
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 150W
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.73mm
	Anchura 7.36 mm
	Altura 2.41mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET Infineon

El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 5,3mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 80V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 150W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET está presente en las aplicaciones más exigentes y ofrece una flexibilidad total en espacios limitados. Está diseñado para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de próxima generación más afilados en aplicaciones informáticas. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Refrigeración de doble cara

• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)

• chapado sin plomo (Pb)

• inductancia parásita baja

• Perfil bajo (<0, 7mm)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Tecnología optimizada para convertidores dc-dc

• Resistencia térmica superior

Aplicaciones

• AC-DC

• Adaptador

• DC-DC

• LED

• Control de motor

• Alimentación de PC

• Fuentes de alimentación del servidor

• SMPS

• Solar

• Telecomunicaciones

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC