MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1831
- Referência do fabricante:
- IPD50N08S413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
837,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 7500 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,335 € | 837,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1831
- Referência do fabricante:
- IPD50N08S413ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N Infineon tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N08S413ATMA1, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 39 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 1.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD90N03S4L03ATMA1, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines