MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 39 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 168-8750
- Referência do fabricante:
- IRLR2908TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 168-8750
- Referência do fabricante:
- IRLR2908TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 120W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 120W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 39 A, disipación de potencia máxima de 120 W - IRLR2908TRPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer versatilidad y eficiencia en diversas aplicaciones que exigen un control preciso de la corriente, especialmente en entornos con limitaciones de espacio. Gracias a su tecnología HEXFET, mantiene un rendimiento eficaz a altas temperaturas, lo que la convierte en una opción adecuada para los sistemas electrónicos y eléctricos contemporáneos. Su capacidad para gestionar una importante disipación de energía mientras funciona en condiciones difíciles le añade relevancia.
Características y ventajas
• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 39 A para aplicaciones de carga exigentes
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 80 V para una mayor fiabilidad
• Baja resistencia a la conexión de 30mΩ para mejorar la eficiencia energética
• Funciona a altas temperaturas de hasta +175°C para entornos rigurosos
• El diseño de montaje en superficie facilita la instalación y el montaje
• El modo de mejora ofrece un control mejorado para circuitos variados
Aplicaciones
• Empleado en circuitos de alimentación para una conmutación eficaz
• Adecuado para el control de motores que requieren una regulación precisa de la corriente
• Utilizados en sistemas de automoción para una gestión eficiente de la energía
• Ideal para circuitos de conmutación de alta frecuencia para mejorar la eficiencia
• Adoptado en sistemas de automatización industrial para un rendimiento superior
¿Cuáles son las características térmicas de este componente?
La resistencia térmica entre la unión y la carcasa es de aproximadamente 1,3 °C/W, lo que favorece una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento, esencial para mantener un rendimiento y una fiabilidad óptimos.
¿Cómo me aseguro de que la instalación es correcta para obtener un rendimiento óptimo?
Es importante seguir unas directrices de diseño de placas de circuito impreso adecuadas, centrándose especialmente en minimizar la inductancia y maximizar el contacto térmico con el sustrato para evitar el sobrecalentamiento durante el funcionamiento.
¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?
Sí, puede soportar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 150 A, lo que permite gestionar condiciones transitorias sin comprometer la integridad del dispositivo.
¿Qué importancia tiene el valor RDS(on) en las operaciones?
El bajo valor RDS(on) de 30mΩ es importante ya que reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, mejorando la eficiencia y el rendimiento general del circuito.
¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta a la funcionalidad?
Con una tensión umbral de entre 1V y 2,5V, permite un control preciso, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones electrónicas que requieren una conmutación precisa.
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