MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8951
- Referência do fabricante:
- AUIRFR540Z
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
66,675 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1650 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,889 € | 66,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-8951
- Referência do fabricante:
- AUIRFR540Z
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Apto para automoción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR540Z, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR540ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines