MOSFET, N-Canal Infineon IPA80R1K4CEXKSA2, VDSS 800 V, ID 3.9 A, P, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4355
- Referência do fabricante:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4355
- Referência do fabricante:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.68mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.85mm | |
| Anchura | 16.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal P | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.68mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.85mm | ||
Anchura 16.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon CoolMOSE CE utiliza una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión. La capacidad de alta tensión combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.
Cumple con RoHS
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