MOSFET, N-Canal Infineon IPD80R1K4CEATMA1, VDSS 800 V, ID 3.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4396
Referência do fabricante:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.42mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 800V Cool MOS CE tiene capacidad de alta tensión que combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.

Cumple con RoHS

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