MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K4CEATMA1, VDSS 800 V, ID 3.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*

11,475 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4980 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
15 +0,765 €11,48 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
214-4396
Referência do fabricante:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.35mm

Anchura

6.42 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 800V Cool MOS CE tiene capacidad de alta tensión que combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.

Cumple con RoHS

Links relacionados