MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 3.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4395
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4395
- Referência do fabricante:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 6.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 800V Cool MOS CE tiene capacidad de alta tensión que combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.
Cumple con RoHS
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